DataSheetWiki

EMB14N10H Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Excelliance MOS - Field Effect Transistor

شماره قطعه EMB14N10H
شرح مفصل Field Effect Transistor
تولید کننده Excelliance MOS 
آرم Excelliance MOS 


1 Page

		

No Preview Available !

EMB14N10H شرح
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
16.5mΩ 
ID  44A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=20A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2015/6/15 
EMB14N10H
LIMITS 
±20 
44 
28 
100 
20 
20 
10 
50 
20 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.5 
62 
UNIT 
°C / W 
p.1 

قانون اساسیصفحه 6
دانلود [ EMB14N10H دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
EMB14N10CS Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB14N10F Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB14N10H Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو