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EMB08K04G fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB08K04G
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMB08K04G fiche technique
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS  40V  40V 
RDSON (MAX.)  17.5mΩ  8.8mΩ 
ID 
7.4A 
10.5A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB08K04G
LIMITS 
Q1  Q2 
±20  ±20 
7.4  10.5 
5.6  8.4 
30  42 
7.5  10.5 
2.8  5.5 
1.4  2.7 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
2015/9/7 
p.1 

PagesPages 8
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