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PDF EMZB21A03VG Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMZB21A03VG
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMZB21A03VG Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
21mΩ 
ID  9A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
ESD Protection 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PIN 1
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=10A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMZB21A03VG
LIMITS 
±20 
9 
7 
36 
10 
5 
2.5 
3.1 
2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
340°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2015/12/25 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
7.5 
40 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMZB21A03VG pdf
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 9A
 8
 
6
 
VD  S   = 5V
10V
15V
 4
 
2
 
 
0
0
 
  100
4 8 12
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
Maximum Safe Operating Area
16
  R D  S (O  N )  Limit
10
 
100μs
1ms
10ms
100ms
 1
 
1s
10s
DC
  0.1
  VG S  = 10V
  Single Pulse
R  JA   = 55°C/W
  TA   = 25°C
  0.01
0.1
1
10
  VD  S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
 
 1
Duty Cycle = 0.5
 
0.2
  0.1
0.1
  0.05
Transient Thermal Response Curve
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
  EMZB21A03VG
1000
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
0
50
40
30
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
5 10 15 20 25
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
Single Pulse
Rθ  J A = 55°C/W
TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =55°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2015/12/25 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMZB21A03VGField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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