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EMB08K04HP fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB08K04HP
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMB08K04HP fiche technique
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
S2 S2 S2 G2
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS  40V  40V 
D2 / S1
RDSON (MAX.)  17mΩ  8mΩ 
ID  41A  57A 
D1
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
D1 D1 D1 PIN 1
(G1)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB08K04HP
LIMITS 
UNIT 
Q1  Q2 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Continuous Drain Current 
TA = 25 °C 
Pulsed Drain Current1 
TA = 70 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
PD 
Tj, Tstg 
±20  ±20 
41  57 
32  45 
9  12 
7  9.6 
84  114 
30  40 
45  80 
22.5 
40 
48  69 
19  27 
2.01 
2.08 
1.2  1.3 
55 to 150 
V 
A 
mJ 
W 
W 
°C 
TYPICAL 
MAXIMUM 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC  Steady State
JunctiontoAmbient3 
RJA  Steady State
RJA  t  10 s 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
 
 
 
2.6  1.8 
62  60  °C / W
27  25 
2015/9/3 
p.1 

PagesPages 9
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