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EMB02K03HP fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB02K03HP
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMB02K03HP fiche technique
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
S2 S2 S2 G2
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.)  5.5mΩ 
30V 
2.6mΩ 
D2 / S1
ID  50A  83A 
D1
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
D1 D1 D1 PIN 1
(G1)
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current3 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC  Steady State
JunctiontoAmbient 
RJA  Steady State
RJA  t  10 s 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
3Package limitation current, Q1=25A, Q2=36A 
RJA when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
 
EMB02K03HP
LIMITS 
Q1  Q2 
±20  ±20 
50  83 
31  52 
90  150 
30  63 
45  198 
22  99 
48  100 
19  40 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
2.6  1.25 
62  55 
27  24 
UNIT 
°C / W
2016/4/11 
p.1 

PagesPages 9
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