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EMF30C02G fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMF30C02G
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMF30C02G fiche technique
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
20V  ‐20V 
30.5mΩ  100mΩ 
ID 
6.5A 
4.2A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/12/26 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMF30C02G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±12  ±12 
6.5  ‐4.2 
4.5  ‐3.3 
26  ‐16.8 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 8
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