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PDF EMB24B03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB24B03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB24B03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
Dual PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
RDSON (MAX.) 
24mΩ 
ID  ‐8A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB24B03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±25 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
8 
6 
32 
Avalanche Current 
IAS  ‐12 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=8A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
3.2 
1.6 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2 
1.1 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=8A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
62.5 
°C / W 
2013/1/10 
p.1 

1 page




EMB24B03G pdf
 
10
I D  = ‐ 8A
8
6
4
Gate Charge Characteristics
VD  S   = ‐ 5V
‐ 15V
‐ 10V
2
0
0 5 10 15 20
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
25
  EMB24B03G
2000
1600
1200
800
400
0
0
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1 MHz
VG S  = 0 V
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ VD  S , DrainSource Voltage( V )
25
30
Maximum Safe Operating Area
100
10 R D S  (O  N  ) Limit
1
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
0.1
VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J  A = 62.5°C/W
TA   = 25°C
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 62.5°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10 100 1000
t 1 ,Time (sec)
1
Duty Cycle = 0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
0.001
10 4
Single Pulse
10 3
Transient Thermal Response Curve
102 101
1
t1  ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
t2 t1
1.Duty Cycle,D =
t2
2.R θ  J A =62.5°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ J  A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/1/10 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB24B03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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