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PDF EMB12P03V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB12P03V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB12P03V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
12mΩ 
ID 
21A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=13A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB12P03V
LIMITS 
±20 
21 
16 
84 
13 
8.45 
4.23 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/6/21 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB12P03V pdf
 
10
I D  = ‐ 13A
Gate Charge Characteristics
8
VD S    = ‐ 5V
‐ 10V
‐ 15V
6
4
2
0
0
15 30
45
60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
75
  EMB12P03V
3000
2400
1800
1200
600
0
0
Capacitance Characteristics
Ciss
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Coss
Crss
5 10 15 20
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
25
30
Maximum Safe Operating Area
100
R D S  (O  N  ) Limit
10
100μs
1ms
10ms
100ms
1
0.1
VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J  A = 50°C/W
TA   = 25°C
1s
10s
DC
0.01
0.1
1 10
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
1
Duty Cycle = 0.5
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
Transient Thermal Response Curve
10 2
10 1
t 1 ,Time (sec)
1
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/6/21 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB12P03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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