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PDF EMB12P04V Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB12P04V
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB12P04V Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
40V 
D
RDSON (MAX.) 
12.6mΩ 
ID 
22A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=18A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB12P04V
LIMITS 
±20 
22 
14 
88 
18 
16.2 
8.1 
2.5 
1 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
2013/12/17 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
6 
50 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB12P04V pdf
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
  EMB12P04V
10
I D  = ‐ 12A
8
6
Gate Charge Characteristics
V D S   = ‐ 15V
‐ 20V
4
2
0
0 15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
5000
4000
3000
2000
1000
0
0
Capacitance Characteristics
f = 1 MHz
VG  S = 0 V
Ciss
Coss
Crss
10 20
30
‐ VD S  , DrainSource Voltage( V )
40
Maximum Safe Operating Area
100
R D S  (O  N  ) Limit
10
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
1 10s
DC
0.1
VG  S = ‐10V
Single Pulse
R  J A  = 50°C/W
TA   = 25°C
0.01
0.1
1 10
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 50°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1
1
10 100 1000
1
Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
0.1
0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
Single Pulse
0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
t 1 ,Time (sec)
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.R θ J  A = 50°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) + RθJA
10 100
1000
2013/12/17 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB12P04AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P04FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12P04VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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