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EMB12P03G fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB12P03G
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMB12P03G fiche technique
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.)(VGS=10V)  10mΩ 
ID 
13A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB12P03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±25 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
ID 
IDM 
13 
10 
50 
Avalanche Current 
IAS  ‐15 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
11.25 
5.62 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2.5 
1 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=10A, Rated VDS=30V PCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
°C / W 
50 
2012/12/17 
p.1 

PagesPages 5
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