DataSheetWiki

EMB20P03P Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Excelliance MOS - Field Effect Transistor

شماره قطعه EMB20P03P
شرح مفصل Field Effect Transistor
تولید کننده Excelliance MOS 
آرم Excelliance MOS 


1 Page

		

No Preview Available !

EMB20P03P شرح
 
 
PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
20mΩ 
ID  ‐8A  G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
VGS 
ID 
IDM 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
EMB20P03P
LIMITS 
±25 
8 
6 
32 
1.47 
0.58 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
385°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
2013/9/18 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
18 
85 
UNIT 
°C / W 
p.1 

قانون اساسیصفحه 5
دانلود [ EMB20P03P دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
EMB20P03A Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB20P03G P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB20P03H Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB20P03P Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو