DataSheetWiki

EMB12K03V Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Excelliance MOS - Field Effect Transistor

شماره قطعه EMB12K03V
شرح مفصل Field Effect Transistor
تولید کننده Excelliance MOS 
آرم Excelliance MOS 


1 Page

		

No Preview Available !

EMB12K03V شرح
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
  NCHQ1  NCHQ2 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V 
12mΩ 
30V 
17mΩ 
ID  12A  10A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
EMB12K03V
LIMITS 
Q1  Q2 
±20  ±20 
12  10 
8.5  7 
48  40 
12  12 
7.2  7.2 
3.6  3.6 
2.00 
2.00 
0.8  0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
2013/11/15 
TYPICAL 
 
 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

قانون اساسیصفحه 8
دانلود [ EMB12K03V دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
EMB12K03GP Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12K03V Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو