DataSheetWiki

EMB28A04G Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Excelliance MOS - Field Effect Transistor

شماره قطعه EMB28A04G
شرح مفصل Field Effect Transistor
تولید کننده Excelliance MOS 
آرم Excelliance MOS 


1 Page

		

No Preview Available !

EMB28A04G شرح
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
BVDSS 
40V 
RDSON (MAX.) 
28mΩ 
ID  7A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
 
 
2013/9/3 
EMB28A04G
LIMITS 
±20 
7 
6 
28 
2 
1.3 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

قانون اساسیصفحه 5
دانلود [ EMB28A04G دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
EMB28A04G Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو