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EMBA0A10G fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMBA0A10G
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMBA0A10G fiche technique
 
 
Dual NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
BVDSS 
100V 
RDSON (MAX.) 
100mΩ 
ID  3.5A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
2013/10/9 
EMBA0A10G
LIMITS 
±20 
3.5 
2.5 
14 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 5
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