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PDF EMB50N10S Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB50N10S
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB50N10S Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID  8A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
342°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
2013/3/26 
EMB50N10S
LIMITS 
±20 
8 
6 
32 
15 
11.25 
5.62 
3.0 
1.2 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
21 
42 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB50N10S pdf
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 8A
 
8
  VD  S   = 25V
50V
 6
 4
 
 2
 0
0
 
15 30 45
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
60
 
100
 
Maximum Safe Operating Area
  10 R D  S (O  N )Limit
 
 1
100μs
1ms
10ms
100ms
  1s
  0.1
DC
    VG  S = 10V
  Single Pulse
  R  JA = 42°C/W
  0.01   TA   = 25°C
0.1
1
10 100 1000
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
 
 1
Transient Thermal Response Curve
  Duty Cycle = 0.5
  0.2
0.1
0.1
  0.05
  0.02
0.01
  0.01
Single Pulse
 
  0.001
10 4
10 3
10 2
10 1
1
  t 1 ,Time (sec)
 
 
 
 
 
 
2013/3/26 
  EMB50N10S
4000
3000
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
2000
1000
0
0
Coss
Crss
25 50 75
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J A = 42°C/W
40 TA  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time ( sec )
100 1000
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D =t2 t1
t2
2.Rθ  J  A =42°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J A (t)=r(t) * RθJA
10 100
1000
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB50N10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB50N10SField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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