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EMB09N03HR fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB09N03HR
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMB09N03HR fiche technique
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
9.5mΩ 
ID  50A 
 
UIS, Rg 100% Tested 
G
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB09N03HR
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
50 
35 
140 
Avalanche Current 
IAS  37.5 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=37.5A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
70 
15 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
50 
26 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=25A, Rated VDS=30V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
 
2.5 
°C / W 
50 
2012/3/26 
p.1 

PagesPages 6
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