DataSheetWiki

EMB12N03G Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Excelliance MOS - Field Effect Transistor

شماره قطعه EMB12N03G
شرح مفصل Field Effect Transistor
تولید کننده Excelliance MOS 
آرم Excelliance MOS 


1 Page

		

No Preview Available !

EMB12N03G شرح
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
12mΩ 
ID  12A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB12N03G
LIMITS 
UNIT 
GateSource Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
12 
10 
48 
Avalanche Current 
IAS  12 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
7.2 
3.6 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
2.5 
1 
55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=15A, Rated VDS=25V NCH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
350°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
 
25 
°C / W 
50 
2013/8/30 
p.1 

قانون اساسیصفحه 5
دانلود [ EMB12N03G دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
EMB12N03A Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12N03G Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12N03H Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS
EMB12N03HR Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو