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EMDJ0N20Q fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMDJ0N20Q
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMDJ0N20Q fiche technique
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
200V 
D
RDSON (MAX.) 
1Ω 
ID  1.1A  G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
 
 
2012/8/15 
EMDJ0N20Q
LIMITS 
±30 
1.1 
0.7 
4.4 
6.25 
2.5 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
20 
150 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 5
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