DataSheetWiki


EMB55N03J fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB55N03J
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





1 Page

No Preview Available !





EMB55N03J fiche technique
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
55mΩ 
ID  3.5A  G
 
 S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
 
 
2013/8/30 
 
EMB55N03J
LIMITS 
±20 
3.5 
2.4 
14 
1.25 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
100 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 5
Télécharger [ EMB55N03J ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
EMB55N03J Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche