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PDF EMD06N10E Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD06N10E
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD06N10E Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
6.5mΩ 
ID 
135A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=75A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/10/8 
EMD06N10E
LIMITS 
±30 
135 
97 
540 
75 
281 
140 
227 
90 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
0.55 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD06N10E pdf
 
  Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 75A
 8
 
 6
VD  S   = 50V 80V
 4
  EMD06N10E
10000
7500
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
5000
 
 2
 0
0
 
50 100 150
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
200
2500
0
0
Coss
Crss
25 50 75
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
100
  Maximum Safe Operating Area
  103
RDS(ON) Limited
 
  102
 
101
 
10μs
100μs
1ms
10ms
DC
  100
  TC=25°C
    RθJC=0.55°C/W
  Vgs=10V
  Single Pulse
  101
100
101
102
  VDS, DrainSource Voltage( V )
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000
Single Pulse
Rθ  JC  = 0.55 °C/W
TC  = 25 °C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
  Transient Thermal Response Curve
 
  100
  D=0.5
  0.2
  0.1
101
  0.05
  0.02
0.01
 
102
 
single pulse
Note :
  1. RθJC(t)=0.55°C/W Max.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105 104 103 102 101 100 101
  t1,Time( sec )
 
 
 
 
2013/10/8 
p.5 

5 Page










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PDF Descargar[ Datasheet EMD06N10E.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD06N10EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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