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EMB60N06C fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMB60N06C
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMB60N06C fiche technique
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
60mΩ 
ID  12A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=12A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/6/19 
EMB60N06C
LIMITS 
±20 
12 
8 
30 
12 
7.2 
3.6 
16.6 
6.6 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
7.5 
80 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 5
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Lithium-Ion Battery

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ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
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