DataSheet.es    


PDF EMD05N70CS Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD05N70CS
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



Hay una vista previa y un enlace de descarga de EMD05N70CS (archivo pdf) en la parte inferior de esta página.


Total 5 Páginas

No Preview Available ! EMD05N70CS Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
700V 
D
RDSON (MAX.) 
2.5Ω 
ID  5A 
G
 
UIS, 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 1mH, ID=5A, RG=25Ω 
L = 0.5mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/12/17 
EMD05N70CS
LIMITS 
±30 
5 
3 
20 
5 
12.5 
6.25 
35 
14 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.6 
110 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD05N70CS pdf
 
 
  EMD05N70CS
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  18
ID = 3 A
  15
  12
 
9
 
6
 
 3
V DS =175V
350V
 0
024
6
8 10 12 14
Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
 
800
720 Ciss
640
560
480
400
320
240
160
80
0
10
Coss
Crss
20
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
30 40 50 60
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
70
  Maximum Safe Operating Area
100
 
 
 
 
 
10
R D S ( O  N )Limit
1
  0.1
  VG S  = 10V
Single Pulse
  R  JC = 3.6°C/W
  TA   = 25°C
100μs
1ms
10ms
100ms
1s
DC
  0.01
 1
 
10 100 1000
VD S   ‐ DrainSource Voltage( V )
10000
 
1
  Duty Cycle = 0.5
Transient Thermal Response Curve
 
  0.1
 
  0.01
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
 
  0.001
10 3
 
Single Pulse
10 2
101 1
t 1 ,Time (sec)
10
Notes:
P DM
t1
1.Duty Cycle,D = t2 t1
t2
2.Rθ  J C = 3.6°C/W
3.TJ  ‐  TA   = P * Rθ  J A  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) + RθJC
100 1000
 
 
 
 
 
10000
2013/12/17 
p.5 

5 Page










PáginasTotal 5 Páginas
PDF Descargar[ Datasheet EMD05N70CS.PDF ]




Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD05N70CSField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


DataSheet.es es una pagina web que funciona como un repositorio de manuales o hoja de datos de muchos de los productos más populares,
permitiéndote verlos en linea o descargarlos en PDF.


DataSheet.es    |   2020   |  Privacy Policy  |  Contacto  |  Buscar