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PDF EMB03N03A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB03N03A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS　
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
30V 
D
RDSON (MAX.) 
3.5mΩ 
ID  80A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
EMB03N03A
LIMITS 
UNIT 
Gate‐Source Voltage 
VGS  ±20 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
ID 
IDM 
80 
50 
170 
Avalanche Current 
IAS  53 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=53A, RG=25Ω
L = 0.05mH 
EAS 
EAR 
140 
40 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
PD 
Tj, Tstg 
70 
28 
‐55 to 150 
100% UIS testing in condition of VD=15V, L=0.1mH, VG=10V, IL=40A, Rated VDS=25V N‐CH
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
MAXIMUM 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
UNIT 
Junction‐to‐Case 
RJC 
Junction‐to‐Ambient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1％ 
 
 
 
 
1.8 
°C / W 
75 
2011/12/16 
p.1 

1 page




EMB03N03A pdf
 
 
  EMB03N03A
 
G a te C h a rg e C h a ra c te ris tic s
  12
ID = 3 0 A
  10
10 4
C a p a c ita n c e  C h a ra c te ris tic s
C is s
 
8
10V
V DS =5V
  15V
6
 
4
 
10 3
10 2
C oss
C rss
 2
 0
0 30 60 90
  Q g ,G a te C h a rg e ( n C )
f =  1  M H z
V G S= 0  V
0 5 10 15 20 25
V DS ‐D r a in ‐S o u r c e  V o lta g e ( V  )
30
 
  1000
M A X IM U M  S A F E  O P E R A T IN G  A R E A
 
 
 
 
100
R   d s (o  n )Lim it
10
1 0  μ s
10
DC
1m
10m
0ms
s
1
s
0
0
  μs
 
  1 V G  S =  1 0 V
S IN G LE  P U LS E
  R θ   J C  =   1 . 8  °C / W
T c   =   2 5  °C
  0.1
0 .1
1
10
V D   S  , D R A I N ‐   S O U R C E  V O L T A G E (   V   )
 
100
 1
  Duty Cycle = 0.5
0.5
 
0.3
  0.2 0.2
  0.1 0.1
  0.05
0.05
  0.02
0.03
  0.01
0.02
Single Pulse
  0.01
10‐2 10‐1
 
 
Transient Thermal Response Curve
Notes:
DM
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =1.8°C/W
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
1 10 100
t 1 ,Time (sec)
 
 
 
3000
2500
2000
1500
1000
500
0
0.01
SINGLE PULSE MAXIMUM POWER DISSIPATION
SRθI N JC  G= L1E. 8P° UC/LWSE
TC  = 25° C
0.1 1
10 100
SINGLE PULSE TIME (SEC) 
1000
1000
2011/12/16 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB03N03AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03HRField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB03N03VField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

 Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

 Analog Devices
Analog Devices


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