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PDF EMB45N06A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB45N06A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB45N06A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
60V 
D
RDSON (MAX.) 
45mΩ 
ID  18A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=15A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2012/10/25 
EMB45N06A
LIMITS 
±20 
18 
12 
50 
15 
11.25 
5.6 
33 
13.5 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
3.7 
80 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB45N06A pdf
  EMB45N06A
 
 
 
Gate Charge Characteristics
  10
I D  = 13A
 
8
  V D S   = 15V 30V
 6
 4
 
 2
 0
0 3 6 9 12 15 18 21
  Q g  ‐ Gate Charge( nC )
1500
1350
1200
1050
900
750
600
450
300
150
0
0
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
V G S  = 0 V
Ciss
Coss
Crss
10 20 30 40 50
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
60
 
300
 
MAXIMUM SAFE OPERATING AREA
100
   50 R d s (o  n ) Limit
10μ  s
  10
 
 1
VG  S = 10V
RSIθ N J C G= L3E. 7P° UC/LWSE
  Tc = 25 °C
0.3
100μ  s
1ms
10ms
1D0C0ms
  0.5 1
10
VD S  ,DRAIN‐ SOURCE VOLTAGE( V )
100
 
 1
Transient Thermal Response Curve
Duty Cycle = 0.5
  0.5
Single Pulse Maximum Power Dissipation
50
Single Pulse
Rθ  J C = 3.7°C/W
40 TC  = 25°C
30
20
10
0
0.001
0.01 0.1 1 10
t 1 ,Time (sec)
100 1000
  0.3
  0.2 0.2
  0.1 0.1
0.05
  0.05
Notes:
  0.02
0.03
0.01
  0.02
DM
1.Duty Cycle,D =
t1
t2
2.Rθ  J C  =3.7°C/W
Single Pulse
3.TJ  ‐  TC   = P * R θ J C  (t)
  0.01
4.Rθ  J C (t)=r(t) * RθJC
102 101
1
10 100
  t 1 ,Time ( mSEC )
 
1000
 
 
 
 
2012/10/25 
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB45N06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB45N06GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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