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EMBB0N10A fiches techniques PDF

Excelliance MOS - Field Effect Transistor

Numéro de référence EMBB0N10A
Description Field Effect Transistor
Fabricant Excelliance MOS 
Logo Excelliance MOS 





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EMBB0N10A fiche technique
 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
100V 
D
RDSON (MAX.) 
220mΩ 
ID  7A 
G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.1mH, ID=5A, RG=25Ω 
L = 0.05mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
 
2013/8/30 
EMBB0N10A
LIMITS 
±20 
7 
5 
28 
5 
1.25 
0.625 
25 
10 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
5 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

PagesPages 6
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Sony
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ATMEL
ATMEL
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Advanced Semiconductor
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