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PDF EMD50N15A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMD50N15A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMD50N15A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
NChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary: 
BVDSS 
150V 
D
RDSON (MAX.) 
50mΩ 
ID  36A  G
 
UIS, Rg 100% Tested 
S
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
DrainSource Voltage 
GateSource Voltage 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Avalanche Current 
Avalanche Energy 
Repetitive Avalanche Energy2 
L = 0.2mH, ID=18A, RG=25Ω 
L = 0.1mH 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
VDSS 
VGS 
ID 
IDM 
IAS 
EAS 
EAR 
PD 
Tj, Tstg 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
TYPICAL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
375°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2013/12/18 
EMD50N15A
LIMITS 
150 
±30 
36 
22 
120 
18 
32.4 
16.2 
104 
41 
55 to 150 
UNIT 
V 
V 
A 
mJ 
W 
°C 
MAXIMUM 
1.2 
75 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMD50N15A pdf
 
 
  10
 
8
 
ID   = 20A
Gate Charge Characteristics
  EMD50N15A
6000
4500
Ciss
Capacitance Characteristics
f  =  1MHz
VG  S  = 0 V
 6
 
 4
VD  S = 50V
80V
3000
 
2
 
 0
0
 
20 40 60
Q g  ‐ Gate Charge( nC )
1500
Coss
Crss
0
80 0 10 20 30
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
40
 
 
  103
Maximum Safe Operating Area
 
  102
RDS(ON) Limited
10μs
100μs
  1ms
  101
10ms
DC
 
100
    TC=25°C
  RθJC=1.2°C/W
    Vgs=10V
  Single Pulse
101
  100
101
VDS, DrainSource Voltage( V )
102
 
Single Pulse Maximum Power Dissipation
3000 Single Pulse
Rθ  JC  = 1.2° C/W
TC  = 25° C
2500
2000
1500
1000
500
0 0.01
0.1 1 10
Single Pulse Time( sec ) 
100
1000
 
 
  100
 
 
  101
 
 
D=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
  102
Tran sien t Th erm al R e spo n se C urve
single pulse
N ote :
  1. Rθ (JC t)=1.2°C/W  M ax.
  2. Duty Cycle, D=t1/ t2
  3. TJM ‐ TC=PDM*RθJC(t)
PDM
t1
t2
  105
104
103
102
101
100
101
  t1,Time( sec )
 
 
2013/12/18 
p.5 

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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMD50N15AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD50N15EField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD50N15FField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMD50N15GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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