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PDF EMB37C06A Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB37C06A
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB37C06A Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
ID 
NCH 
60V 
37mΩ 
12A 
PCH 
60V 
90mΩ 
7A 
D1
G1
S1
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
D2
G2
S2
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Power Dissipation 
TC = 25 °C 
TC = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
 
 
 
2012/7/24 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB37C06A
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
12  ‐7 
8  ‐5 
48  ‐28 
21 
13 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
6 
42 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB37C06A pdf
 
NChannel 
 
  OnRegion Characteristics
  50
VG  S = 10V
8V
7V
  40
6V
 
30
 
5V
  20
  10
 
 
0
0
 
24 6
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
8
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  ID   = 10 A
VG  S   = 10V
  1.6
  1.3
 
  1.0
  0.7
 
  0.4
50 25
0 25
50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
  25
Transfer Characteristics
  VD  S = 5V
  20
T A  = ‐55°C
25°C
  15
125°C
 
10
 
 5
 0
1 2 3 4 56
  VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
2012/7/24 
  EMB37C06A
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
1.8
1.6
1.4 V G  S = 5.0 V
6.0 V
1.2 7.0 V
8.0 V
1.0 10 V
0.8
0 10 20 30 40 50
I D  ‐ Drain Current( A )
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.14
I D  = 5 A
0.12
0.10
0.08
0.06
T A  = 125°C
0.04
T A  = 25°C
0.02
0
24
6
8
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation with 
Source Current and Temperature
100
VG  S  = 0V
10
1 T  A = 125° C
0.1 25° C
0.01 55° C
0.001
0.0001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.2
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB37C06AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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