DataSheetWiki

EMB28C03G Datasheet دیتاشیت PDF دانلود

دیتاشیت - Excelliance MOS - Field Effect Transistor

شماره قطعه EMB28C03G
شرح مفصل Field Effect Transistor
تولید کننده Excelliance MOS 
آرم Excelliance MOS 


1 Page

		

No Preview Available !

EMB28C03G شرح
 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
28mΩ  40mΩ 
ID  7A  ‐6A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/10/25 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB28C03G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
7  ‐6 
6  ‐5 
28  ‐24 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

قانون اساسیصفحه 8
دانلود [ EMB28C03G دیتاشیت ]



دیتاشیت توصیه

شماره قطعه شرح مفصل تولید کنندگان
EMB28C03G Field Effect Transistor Excelliance MOS
Excelliance MOS

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2018   |   تماس با ما  |   جستجو