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PDF EMB28C03G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB28C03G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB28C03G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
30V  ‐30V 
28mΩ  40mΩ 
ID  7A  ‐6A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/10/25 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB28C03G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
7  ‐6 
6  ‐5 
28  ‐24 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB28C03G pdf
 
NChannel 
 
 
OnRegion Characteristics
  30
VG S = 10V
6V
  25 7V 5V
  20
 
15
 
10
 
 5
4.5V
 0
01
2
34
  VD S  ‐ Drain Source Voltage(V)
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
I D  = 7A
  VG S  = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
50 25 0 25 50 75 100 125
  T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
30
Transfer Characteristics
  VD S  = 10V
  25
  20
TA   = ‐55°C
25°C
  15
  10
125°C
 5
 
0
  1 1.5 2.0 2.5 3.0
VG S  ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
5
150
3.5
2012/10/25 
  EMB28C03G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
V G  S = 4.5 V
5.0 V
6.0 V
7.0 V
10 V
6 12 18
I D  ‐ Drain Current(A)
24 30
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 3.5 A
T A  = 125°C
T A  = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation 
with Source Current and Temperature
100
VG S   = 0V
10 T A  = 125° C
1 25° C
0.1 55° C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
VS D  ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB28C03GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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