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PDF EMB22C04G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMB22C04G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMB22C04G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
40V  ‐40V 
22mΩ  42mΩ 
ID 
7.5A 
6A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 70 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2012/6/5 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMB22C04G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
7.5  ‐6 
6  ‐5 
30  ‐24 
2 
1.3 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
p.1 

1 page




EMB22C04G pdf
 
NChannel 
 
 
  30
OnRegion Characteristics
VG  S = 10V
 
24
8.0V
  7.0V
  18
  12
 
 6
6.0V
5.0V
4.5V
 0
 0
12
34
VD  S ‐ DrainSource Voltage( V )
5
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 7.5A
VG  S   = 10V
1.6
 
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
  50 25
0 25
50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
18
Transfer Characteristics
  VD  S = 10V
  15
  12
 9
T A  = ‐55°C
25°C
 6
 
3
 
0
 1
 
125°C
2 34
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
5
 
 
 
2012/6/5 
  EMB22C04G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
2.0
VG  S  = 4.5 V
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
5.0 V
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
0.8
0
6 12 18
I D  ‐ Drain Current( A )
24
30
0.09
0.08
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
2
OnResistance Variation with GateSource Voltage
I D  = 4 A
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
with Source Current and Temperature
100
10 VG  S  = 0V
1
0.1 TA   = 125°C 25°C
0.01
55°C
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMB22C04AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMB22C04GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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