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PDF EMBA5C10G Data sheet ( Hoja de datos )

Número de pieza EMBA5C10G
Descripción Field Effect Transistor
Fabricantes Excelliance MOS 
Logotipo Excelliance MOS Logotipo



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No Preview Available ! EMBA5C10G Hoja de datos, Descripción, Manual

 
 
N & PChannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor 
Product Summary:   
  NCH  PCH 
BVDSS 
RDSON (MAX.) 
100V  ‐100V 
150mΩ  250mΩ 
ID  3A  ‐2.5A 
 
 
PbFree Lead Plating & Halogen Free 
 
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted) 
PARAMETERS/TEST CONDITIONS 
SYMBOL 
GateSource Voltage 
VGS 
Continuous Drain Current 
Pulsed Drain Current1 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Power Dissipation 
TA = 25 °C 
TA = 100 °C 
Operating Junction & Storage Temperature Range 
 
 
THERMAL RESISTANCE RATINGS 
THERMAL RESISTANCE 
SYMBOL 
JunctiontoCase 
RJC 
JunctiontoAmbient3 
RJA 
1Pulse width limited by maximum junction temperature. 
2Duty cycle  1 
362.5°C / W when mounted on a 1 in2 pad of 2 oz copper. 
 
 
2013/10/8 
ID 
IDM 
PD 
Tj, Tstg 
TYPICAL 
 
 
EMBA5C10G
LIMITS 
NCH 
PCH 
±20  ±20 
3  ‐2.5 
2.1  ‐1.8 
12  ‐10 
2 
0.8 
55 to 150 
UNIT 
V 
A 
W 
°C 
MAXIMUM 
25 
62.5 
UNIT 
°C / W 
0p.1 

1 page




EMBA5C10G pdf
 
NChannel 
 
 
15
 
  12
 9
 
 6
 3
OnRegion Characteristics
VG  S = 10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.0V
 
0
  01
2
34
VD S  ‐ DrainSource Voltage( V )
5
 
  OnResistance Variation with Temperature
1.9
  I D  = 2A
VG  S   = 10V
  1.6
  1.3
 
1.0
 
  0.7
  0.4
  50 25
0 25 50 75 100 125 150
T J  ‐ Junction Temperature (°C)
 
 
Transfer Characteristics
  12
VD  S = 10V
  10
 8
 6
TA   = ‐55°C
25°C
 
4
125°C
 
2
 
 0
23
45 6
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
 
 
 
 
 
2013/10/8 
  EMBA5C10G
OnResistance Variation with Drain Current and Gate Voltage
2.4
2.2
VG  S  = 5.0 V
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0
6.0 V
7.0 V
8.0 V
10 V
369
I D  ‐ Drain Current( A )
12
15
OnResistance Variation with GateSource Voltage
0.45
I D  = 1.5 A
0.40
0.35
0.30
0.25
0.20
0.15
0.10
0.05
2
TA   = 125°C
TA   = 25°C
46
8
VG  S ‐ GateSource Voltage( V )
10
Body Diode Forward Voltage Variation
100 with Source Current and Temperature
10 VG  S  = 0V
1
0.1
T  A = 125°C 25°C
55°C
0.01
0.001
0
0.2 0.4
0.6 0.8 1.0 1.2
VS  D ‐ Body Diode Forward Voltage( V )
1.4
0p.5 

5 Page










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Hoja de datos destacado

Número de piezaDescripciónFabricantes
EMBA5C10AField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS
EMBA5C10GField Effect TransistorExcelliance MOS
Excelliance MOS

Número de piezaDescripciónFabricantes
SLA6805M

High Voltage 3 phase Motor Driver IC.

Sanken
Sanken
SDC1742

12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters.

Analog Devices
Analog Devices


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