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Número de pieza | PD5E8BA | |
Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
Fabricantes | UNIKC | |
Logotipo | ||
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N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
30V 45mΩ @VGS = 10V
ID
16A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 30
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
16
10
35
Avalanche Current
IAS 10
Avalanche Energy
L = 0.1mH
EAS
5
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
20
8
Junction & Storage Temperature Range
Tj, Tstg
-55 to 150
UNITS
V
A
mJ
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Ambient
Junction-to-Case
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJA
RqJC
TYPICAL
MAXIMUM UNITS
62.5
°C / W
6
REV 1.0
1 2017/1/12
1 page PD5E8BA
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
*因为各家封装厂模具不同而外观略有所差异,不影响电性及Layout。
REV 1.0
5
2017/1/12
5 Page |
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PDF Descargar | [ Datasheet PD5E8BA.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
PD5E8BA | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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