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PDF P5506BDG Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | P5506BDG | |
| Descripción | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | |
| Fabricantes | UNIKC | |
| Logotipo |  |
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P5506BDG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V(BR)DSS
RDS(ON)
60V 55mΩ @VGS = 10V
ID
22A
TO-252
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C Unless Otherwise Noted)
PARAMETERS/TEST CONDITIONS
SYMBOL
LIMITS
Drain-Source Voltage
VDS 60
Gate-Source Voltage
VGS ±20
Continuous Drain Current
Pulsed Drain Current1
TC = 25 °C
TC = 100 °C
ID
IDM
22
18
80
Power Dissipation
TC = 25 °C
TC = 100 °C
PD
50
32
Operating Junction & Storage Temperature Range
Lead Temperature (1/16" from case for 10 sec.)
TJ, TSTG
TL
-55 to 150
275
UNITS
V
A
W
°C
THERMAL RESISTANCE RATINGS
THERMAL RESISTANCE
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
1Pulse width limited by maximum junction temperature.
SYMBOL
RqJC
RqJA
TYPICAL
MAXIMUM
2.5
55
UNITS
°C / W
Ver 1.1
1 2013-3-25
1 page  
P5506BDG
N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Ver 1.1
5 2013-3-25
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| P5506BDG | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | UNIKC |
| P5506BDG | N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor |  Niko |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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