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PDF UTC2N3904 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | UTC2N3904 | |
| Descripción | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | |
| Fabricantes | Unisonic Technologies | |
| Logotipo |  |
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UTC 2N3904
NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
GENERAL PURPOSE APPLIATION
FEATURES
*Collector-Emitter Voltage: VCEO=40V
*Collector Dissipation: Pc(max)=625mW
*Complementary to 2N3906
1
TO-92
1:EMITTER 2:BASE 3:COLLECTOR
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ( Ta=25°C ,unless otherwise specified )
PARAMETER
SYMBOL
RATING
Collector-base voltage
VCBO
60
Collector-emitter voltage
VCEO
40
Emitter-base voltage
VEBO
6
Collector current
Ic 200
Collector dissipation
Pc 625
Junction Temperature
Tj 150
Storage Temperature
TSTG
-55 ~ +150
UNIT
V
V
V
mA
mW
°C
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25°C, unless otherwise specified)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
MIN TYP MAX
Collector Cut-off Current
ICEX
VCE=30V, VEB=3V
50
Base Cut-off Current
IBL VCE=30V, VEB=3V
50
Collector-base breakdown voltage
VCBO
Ic=10µA,IE=0
60
Collector-emitter breakdown voltage VCEO
Ic=1mA,IB=0
40
(note)
Emitter-base breakdown voltage
VEBO
IE=10µA, Ic=0
6
DC current gain (note)
hFE1
VCE=1V,Ic=0.1mA
40
hFE2
VCE=1V,Ic=1mA
70
hFE3
hFE4
VCE=1V,Ic=10mA
VCE=1V,Ic=50mA
100
60
300
hFE5
VCE=1V,Ic=100mA
30
Collector-emitter saturation voltage VCE(sat)1
(note)
VCE(sat)2
Ic=10mA,IB=1mA
Ic=50mA,IB=5mA
0.2
0.3
Base-emitter saturation voltage VBE(sat)1
Ic=10mA,IB=1mA
0.65
0.85
(note)
VBE(sat)2
Ic=50mA,IB=5mA
0.95
Current gain bandwidth product
fT VCE=20V, Ic=10mA, f=100MHz 300
Output Capacitance
Cob VCB=5V,IE=0, f=1MHz
4
UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD.
UNIT
nA
nA
V
V
V
V
V
MHz
pF
1
QW-R201-027,A
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| PDF Descargar | [ Datasheet UTC2N3904.PDF ] | |
Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| UTC2N3904 | NPN EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR | Unisonic Technologies |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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