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3DD13003F6 fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - NPN Transistor

Numéro de référence 3DD13003F6
Description NPN Transistor
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





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3DD13003F6 fiche technique
华润华晶分立器件
NPN 低频放大双极型晶体管
R
3DD13003F6
1 产品概述:
3DD13003F6 是硅 NPN 型功率开关晶体管,该产品采用平面工艺,硅特单征晶参重数掺杂衬底材料,分压
分压环终端结构和少子寿命控制技术,提高了产品的击穿电压、开关速 VCEO
400 V
度和可靠性。
产品封装形式:TO-126,符合 RoHS 指令要求。
IC
PtotTC=25℃)
1.5
50
A
W
2 产品特点:
TO-126
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
1
2
3
1. B 2. C
3. E
3 主要用途:
主要用于紧凑型电子节能灯、电子镇流器等功率开关电路,
是该类电子产品的核心部件。
内部等效原理图
B
C
E
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
部件名称
镉 六 价 铬 多 溴 联 苯 多溴二苯醚
(含量要求)
Pb
0.1%
Hg
0.1%
Cd
0.01%
Cr(VI)(PBB)
0.1%
0.1%
PBDE
0.1%
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
×
说明
○:表示该元素的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该元素的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 RoHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
1 页 共 5 2008

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