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3CA834 fiches techniques PDF

LZG - SILICON PNP TRANSISTOR

Numéro de référence 3CA834
Description SILICON PNP TRANSISTOR
Fabricant LZG 
Logo LZG 





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3CA834 fiche technique
2SB834(3CA834)
硅 PNP 半导体三极管/SILICON PNP TRANSISTOR
用途:用于音频功率放大。
Purpose: Audio frequency power amplifier applications.
特点:饱和压降低,集电极耗散功率大,与 2SD880(3DD880)互补。
Features: Low collector saturation voltage, collector power dissipation, complementary to
2SD880(3DD880)
极限参数/Absolute maximum ratings(Ta=25℃)
参数符号
数值
单位
Symbol
Rating
Unit
VCBO -60 V
VCEO -60 V
VEBO
-7.0
V
IC
-3.0
A
IB
-0.5
A
PC(Ta=25℃)
1.5 W
PC(TC=25℃)
30 W
Tj 150 ℃
Tstg -55~150 ℃
电性能参数/Electrical characteristics(Ta=25℃)
参数符号
Symbol
测试条件
Test Condition
VCEO
ICBO
IEBO
hFE(1)
hFE(2)
VCE(sat)
VBE
fT
Cob
ton
tstg
tf
IC=-50mA
VCB=-60V
VEB=-7.0V
VCE=-5.0V
VCE=-5.0V
IC=-3.0A
VCE=-5.0V
VCE=-5.0V
VCB=-10V
IB=0
IE=0
IC=0
IC=-0.5A
IC=-3.0A
IB=-0.3A
IC=-0.5A
IC=-0.5A
IE=0 f=1.0MHz
-IB1=IB2=0.2A
最小值
Min
-60
60
20
数值
Rating
典型值
Typ
-0.5
-0.7
9.0
150
0.4
1.7
0.5
最大值
Max
-100
-100
300
-1.0
-1.0
单位
Unit
V
μA
μA
V
V
MHz
pF
μS
hFE(1)分档/ hFE(1) Classifications: O:60~120 Y:100~200 GR:150~300
http://www.lzg.so

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Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
3CA834 SILICON PNP TRANSISTOR LZG
LZG

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


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