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PDF NJW0281G Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NJW0281G | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
NJW0281G
DESCRIPTION
·High Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO=250V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Complement to Type NJW0302G
APPLICATIONS
·Designed for high fidelity audio amplifier and
other linear applications
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
250 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
250 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
15
A
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
1.5 A
150 W
150 ℃
Tstg Storage Temperature Range -65~150 ℃
isc website：www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NJW0281G | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| NJW0281G | (NJW0281G / NJW0302G) Complementary NPN-PNP Power Bipolar Transistors |  ON Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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