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Numéro de référence | R6S05-H | ||
Description | Silicon rectifier bridge | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
Logo | |||
产品概述
R6S05-H 是 硅 整 流 桥
堆,该产品采用平面工艺,
高温下漏电电流极小,可靠
性较高。
硅整流桥堆
R6S05-H
○R
产品特点
●超低反向漏电电流
●封装厚度薄
●ESD 击穿电压高
●无铅封装
●耐焊接温度高
应用
符号
VR
IF
特征参数
额定值
600
0.5
单位
V
A
封装 SOP4
● LED 整流电路
● 节能灯
● 中小功率电源
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1年
相对湿度 <85%
265℃
内部结构图
极限值 (Per Diode)
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
重复峰值反向电压
直流阻断电压
平均正向整流电流
持续正向整流峰值电流
峰值正向浪涌电流
结到管壳的热阻最大值
贮存温度
符号
VRRM
VDC
IF(AV)
Imax
IFSM
RӨJA
Tstg
额定值
600
600
0.5
2
10
200
-55~150
单位
V
V
A
A
A
℃/W
℃
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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Pages | Pages 4 | ||
Télécharger | [ R6S05-H ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
R6S05-H | Silicon rectifier bridge | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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