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Numéro de référence | 3DD3150A8 | ||
Description | Silicon NPN Transistor | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
Logo | |||
产品概述
3DD3150 A8 是硅 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺,分压环终端
结构和少子寿命控制技术,
提高了产品的击穿电压、开
关速度和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3150 A8
○R
产品特点
特征参数
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 反向击穿电压高
● 可靠性高
应用
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot(TC=25℃)
800
3
40
V
A
W
封装 TO-220AB
● 开关电源中作电压调整
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
1100
800
9
3
6
1.5
3
1.5
40
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
最小值 典型值
2012 版
最大值
3.1
83.3
单位
℃/W
℃/W
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Pages | Pages 4 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
3DD3150A8 | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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