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Numéro de référence | 3DD13003V6D | ||
Description | Silicon NPN Transistor | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
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硅 NPN 低频放大双极型晶体管
3DD13003V6D
○R
1 产品特点:
3DD13003V6D 硅 NPN 型功率开关晶体管,主要用于低压电子节能灯、电子镇流器中的功率
开关电路,是该类电子产品的核心部件。该产品集成了有源抗饱和网络,提高了产品的可靠性。
其特点如下:
● 开关损耗低、可靠性高
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 电流特性好、饱和压降低
● 封装形式:TO-126
典型参考数据
BVCEO=200V
IC=1.5A
Ptot =35W (Ta=25℃)
BCE
内部等效电原理图
C
B
VD
E
部件名称
引线框
塑封树脂
管芯
内引线
焊料
说明
产品中有毒有害物质或元素的名称及含量
有害物质或元素
铅 汞 镉 六 价 铬 多溴联苯 多溴苯醚
(Pb) (Hg) (Cd) (Cr(VI)) (PBB) (PBDE)
○○○○○○
○○○○○○
○○○○○○
○○○○○○
○ ○○○○○
○:表示该有毒有害物质的含量在 SJ/T11363-2006 标准的限量要求以下。
×:表示该有毒有害物质的含量超出 SJ/T11363-2006 标准的限量要求。
目前产品的焊料中含有铅(Pb)成分,但属于欧盟 ROHS 指令豁免范围。
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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Pages | Pages 3 | ||
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No | Description détaillée | Fabricant |
3DD13003V6D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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