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Numéro de référence | 3DD128Y8D | ||
Description | Silicon NPN Transistor | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
Logo | |||
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD128 Y8D
○R
产品概述
3DD128 Y8D 是硅 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺,分压环终端
结构和少子寿命控制技术,
集成了有源抗饱和网络,提
高了产品的击穿电压、开关
速度和可靠性。
产品特点
● 开关损耗低
● 反向漏电流小
● 高温特性好
● 合适的开关速度
● 可靠性高
应用
● 紧凑型电子节能灯
● 电子镇流器
● 一般功率开关电路
特征参数
符号
额定值
VCEO
IC
Ptot (TC=25℃)
200
4
60
单位
V
A
W
封装 TO-220AB
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
E
Ta=25℃
Tc=25℃
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
350
200
9
4
8
2
4
2.0
60
150
-55~150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
℃
℃
符号
RθJC
RθJA
最小值
典型值
最大值
2
62.5
单位
℃/W
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2012 版
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Pages | Pages 4 | ||
Télécharger | [ 3DD128Y8D ] |
No | Description détaillée | Fabricant |
3DD128Y8D | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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