DataSheetWiki


3DD13003F1D fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - Silicon NPN Transistor

Numéro de référence 3DD13003F1D
Description Silicon NPN Transistor
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





1 Page

No Preview Available !





3DD13003F1D fiche technique
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD13003 F1D
R
产品概述
3DD13003 F1D
NPN 型功率开关晶体管,
产品采用平面工艺压环
终端构和少寿命控制
技术,集成了源抗饱和网
提高了产品击穿
开关和可靠性。
存储条件和焊接温度
产品特点
开关
反向漏电流小
特性好
合适的开关
可靠性高
应用
紧凑型电子节能灯
电子镇流器
一般功率开关电
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
特征参数
符号
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
额定值
400
1.5
0.8
单位
V
A
W
封装 TO-92
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
E
额定值
600
400
9
1.5
3
0.75
1.5
0.8
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
156
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2014
1/5

PagesPages 5
Télécharger [ 3DD13003F1D ]


Fiche technique recommandé

No Description détaillée Fabricant
3DD13003F1D Silicon NPN Transistor Huajing Microelectronics
Huajing Microelectronics

US18650VTC5A

Lithium-Ion Battery

Sony
Sony
TSPC106

PCI Bus Bridge Memory Controller

ATMEL
ATMEL
TP9380

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR

Advanced Semiconductor
Advanced Semiconductor


www.DataSheetWiki.com    |   2020   |   Contactez-nous  |   Recherche