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3DD3145A8 fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - Silicon NPN Transistor

Numéro de référence 3DD3145A8
Description Silicon NPN Transistor
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





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3DD3145A8 fiche technique
产品概述
3DD3145 A8 NPN
型功率开关晶体管,该产品
采用平面工艺压环终端
构和少寿命控制技术
提高了产品击穿电压
和可靠性。
硅三重扩散 NPN 双极型晶体管
3DD3145 A8
R
产品特点
特征参数
开关损耗低
反向漏电流小
特性好
反向击穿电压
可靠性高
应用
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
PtotTC=25℃)
700
1.3
60
V
A
W
封装 TO-220AB
开关电源中作电压调整
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
内部结构图
C
B
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
热阻
参数名称
结到壳的热阻
结到环境的热阻
无锡华润华晶微电子有限公司
Ta=25
Tc=25
符号
RθJC
RθJA
E
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
额定值
800
700
9
1.3
2.6
0.65
1.3
1.3
60
150
-55150
单位
V
V
V
A
A
A
A
W
最小值 典型值
2012
最大值
2.1
96.2
单位
/W
/W
1/4

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No Description détaillée Fabricant
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TP9380

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