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3DG40005AS-H fiches techniques PDF

Huajing Microelectronics - Silicon NPN Transistor

Numéro de référence 3DG40005AS-H
Description Silicon NPN Transistor
Fabricant Huajing Microelectronics 
Logo Huajing Microelectronics 





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3DG40005AS-H fiche technique
产品概述
3DG40005 AS-H是硅
NPN 型功率开晶体管,
该产品采用平面工艺,硅
重掺杂衬底材料
工艺了产品EB
阻断电压、开关速
靠性
NPN 双极型晶体管
3DG40005 AS-H
R
产品特点
EB 阻断电压
VEBO>20V
高电压、大 hFE
高温特性好
可靠性高
应用
●手机充电器
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot Ta=25℃)
400
50
0.3
V
mA
W
封装 SOT-23
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40
1 265
相对湿度 <85
极限值
除非另有规定,Ta= 25
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp5ms
基极直流电流
基极脉冲电流(tp5ms
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
内部结构图
C
B
额定值
500
400
20
50
0.1
25
50
0.3
150
-55150
E
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
W
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
416.7
单位
/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
1/4

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No Description détaillée Fabricant
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