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Numéro de référence | 3DG40005AS-H | ||
Description | Silicon NPN Transistor | ||
Fabricant | Huajing Microelectronics | ||
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产品概述
3DG40005 AS-H是硅
NPN 型功率开关晶体管,
该产品采用平面工艺,硅
重掺杂衬底材料,深基区
工艺,提高了产品的 EB
阻断电压、开关速度和可
靠性。
硅 NPN 双极型晶体管
3DG40005 AS-H
○R
产品特点
● 高 EB 阻断电压
(VEBO>20V)
● 高电压、大 hFE
● 高温特性好
● 可靠性高
应用
●手机充电器
特征参数
符号
额定值 单 位
VCEO
IC
Ptot (Ta=25℃)
400
50
0.3
V
mA
W
封装 SOT-23
存储条件和焊接温度
存放有效期
存放条件
极限耐焊接热
环境温度-10℃~40℃
1 年 265℃
相对湿度 <85%
极限值
除非另有规定,Ta= 25℃
参数名称
集电极-基 极电压
集电极-发射极电压
发射极-基 极电压
集电极直流电流
集电极脉冲电流(tp<5ms)
基极直流电流
基极脉冲电流(tp<5ms)
耗散功率
结温
贮存温度
符号
VCBO
VCEO
VEBO
IC
ICM
IB
IBM
Ptot
Tj
Tstg
内部结构图
C
B
额定值
500
400
20
50
0.1
25
50
0.3
150
-55~150
E
单位
V
V
V
mA
A
mA
mA
W
℃
℃
热阻
参数名称
结到环境的热阻
符号
RθJA
最小值
典型值
最大值
416.7
单位
℃/W
无锡华润华晶微电子有限公司
2015V01
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No | Description détaillée | Fabricant |
3DG40005AS-H | Silicon NPN Transistor | Huajing Microelectronics |
US18650VTC5A | Lithium-Ion Battery | Sony |
TSPC106 | PCI Bus Bridge Memory Controller | ATMEL |
TP9380 | NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR | Advanced Semiconductor |
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