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Número de pieza | 2N5929 | |
Descripción | Silicon NPN Power Transistors | |
Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
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isc Silicon NPN Power Transistors
isc Product Specification
2N5929
DESCRIPTION
·DC Current Gain-
: hFE= 20-100@IC= 10A
·Low Collector Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1.0V(Max)@ IC= 15A
APPLICATIONS
·Designed for general purpose power amplifier and switching
applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
90 V
VCEO
Collector-Emitter Voltage
80 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
30 A
IB Base Current-Continuous
7.5 A
PC Collector Power Dissipation @TC=25℃ 175
W
TJ Junction Temperature
150 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
0.875 ℃/W
isc website:www.iscsemi.com
1 isc & iscsemi is registered trademark
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PDF Descargar | [ Datasheet 2N5929.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
2N5921 | RF Power Transistor | RCA |
2N5929 | Silicon NPN Power Transistors | Inchange Semiconductor |
2N5929 | Bipolar NPN Device | Seme LAB |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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