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PDF NTE2350 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2350 | |
| Descripción | Silicon Darlington Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2349 (NPN) & NTE2350 (PNP)
Silicon Darlington Transistors
High Current, General Purpose
Description:
The NTE2349 (NPN) and NTE2350 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in a TO3
type package designed for use as output devices in general purpose amplifier applications.
Features:
D High DC Current Gain: hFE = 1000 (Min) @ IC = 25A
hFE = 400 (Min) @ IC = 50A
D Diode Protection to Rated IC
D Monolithic Construction w/Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
D Junction Temperature to +200°C
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector–Base Voltage, VCB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Emitter–Base Voltage, VEB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50A
Peak . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A
Continuous Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2A
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 300W
Derate Above 25°C @ TC = +100°C . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.71W/°C
Operating Junction Temperature Range, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –55° to +200°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.584°C
Lead Temperature (During Soldering, 10sec Max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +275°C
Electrical Characteristics: (TC = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min Typ Max Unit
OFF Characteristics
Collector–Emitter Breakdown Voltage
Collector–Emitter Leakage Current
Emitter Cutoff Current
V(BR)CEO IC = 100mA, IB = 0
ICER VCE = 120V, RBE = 1kΩ
VCE = 120V, RBE = 1kΩ, TC = +150°C
ICEO VCE = 50V, IB = 0
IEBO VBE = 5V, IC = 0
120
–
–
–
–
–
–
–
–
–
–V
2 mA
10 mA
2 mA
2 mA
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE235 | Silicon NPN Transistor Final RF Power Output | NTE |
| NTE2350 | Silicon Darlington Transistors | NTE |
| NTE2351 | Silicon Complementary Transistors Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2352 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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