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PDF NTE2346 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | NTE2346 | |
| Descripción | Silicon Complementary Transistors | |
| Fabricantes | NTE | |
| Logotipo |  |
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NTE2345 (NPN) & NTE2346 (PNP)
Silicon Complementary Transistors
General Purpose Darlington, Power Amplifier
Description:
The NTE2345 (NPN) and NTE2346 (PNP) are silicon complementary Darlington transistors in an
SOT–82 type package designed for use in audio output stages and general amplifier and switching
applications..
Features:
D High DC Current Gain: hFE = 750 (Min) @ IC = 3A, VCE = 3V
D Junction Temperature to +150°C
Absolute Maximum Ratings:
Collector–Emitter Voltage, VCEO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Collector–Base Voltage, VCBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120V
Emitter–Base Voltage, VEBO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Collector Current, IC
Continuous . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6A
Peak (tp ≤ 10ms, δ ≤ 0.1) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10A
Base Current, IB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150mA
Total Power Dissipation (TC = +25°C), PD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60W
Junction Temperature, TJ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +150°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.08K/W
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient, RthJA . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100K/W
Electrical Characteristics: (TJ = +25°C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Collector Cutoff Current
ICBO
ICEO
IE = 0, VCBO = 120V
IE = 0, VCBO = 120V, TJ = +150°C
IB = 0, VCEO = 60V
Emitter Cutoff Current
IEBO IC = 0, VEBO = 5V
DC Current Gain
hFE IC = 500mA, VCEO = 3V, Note 1
IC = 3A, VCEO = 3V, Note 1
IC = 6A, VCEO = 3V, Note 1
Note 1. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300µs, Duty Cycle ≤ 2%.
Min Typ Max Unit
– – 0.2 mA
– – 2mA mA
– – 0.5 mA
– – 5 mA
– 2700 –
750 –
–
– 400 –
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| NTE234 | Silicon PNP Transistor Low Noise / High Gain Amplifier | NTE |
| NTE2340 | Silicon NPN Transistor Darlington Power Amp / Switch | NTE |
| NTE2341 | Silicon Complementary Transistors Darlington Driver | NTE |
| NTE2342 | Silicon Complementary Transistors | NTE |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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