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PDF KSD526 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | KSD526 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
KSD526
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 80V(Min)
·Good Linearity of hFE
·Collector Power Dissipation-
: PC= 30W(Max)@ TC= 25℃
·Complement to Type KSB596
APPLICATIONS
·Designed for power amplifier applications.
·Recommended for 20~25W high fidelity audio frequency
amplifier output stage applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
VCEO
Collector-Emitter Voltage
VEBO
Emitter-Base Voltage
IC Collector Current-Continuous
IB Base Current-Continuous
PC
Collector Power Dissipation
@ TC=25℃
TJ Junction Temperature
Tstg Storage Temperature Range
80
80
5
4
0.4
30
150
-55~150
V
V
V
A
A
W
℃
℃
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| KSD526 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| KSD526 | Power Amplifier Applications |  Fairchild Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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