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PDF IRF822FI Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | IRF822FI | |
| Descripción | N-Channel MOSFET Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc N-Channel MOSFET Transistor
isc Product Specification
IRF822FI
FEATURES
·Lower Input Capacitance
·Improved Gate Charge
·Extended Safe Operating Area
·Rugged Gate Oxide Technology
DESCRIPTION
·Designed for use in switch mode power supplies and general
purpose applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE UNIT
VDSS
VGS
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage-Continuous
500
±20
V
V
ID Drain Current-Continuous
1.9 A
IDM Drain Current-Single Pluse
7.6 A
PD Total Dissipation @TC=25℃
35 W
TJ
Max. Operating Junction Temperature
-55~150 ℃
Tstg Storage Temperature
-55~150 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c
Rth j-a
Thermal Resistance, Junction to Case
Thermal Resistance, Junction to Ambient
MAX
2.5
80
UNIT
℃/W
℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
1 isc & iscsemi is registered trademark
PDF pdfFactory Pro
www.fineprint.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| IRF822FI | N-Channel MOSFET Transistor | Inchange Semiconductor |
| IRF822FI | (IRF820 / IRF822) N-Channel Enhancement Mode Power MOS Transistors |  STMicroelectronics |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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