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Número de pieza | RB706F-40 | |
Descripción | Schottky barrier Diode | |
Fabricantes | JCET | |
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No Preview Available ! JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
SOT-323 Plastic-Encapsulate Diodes
SOT-323
RB706F-40 Schottky Barrier Diode
FEATURES
z Small package
z Low VF and low IR
z High reliability
MAKING: 3J·
1
3
2
Maximum Ratings @Ta=25℃
Parameter
Peak reverse voltage
DC reverse voltage
Mean rectifying current
Non-repetitive Peak Forward
Surge Current@t=8.3ms
Power dissipation
TJuhnercmtioanl RtoesAismtabniecnetfrom
Junction temperature
Storage temperature
Solid dot = Green molding compound device,if none,
the normal device.
Symbol
VRM
VR
IO
IFSM
PD
RθJA
Tj
Tstg
Limit
45
40
30
200
200
500
125
-55+150
Unit
V
V
mA
mA
mW
℃/W
℃
℃
Electrical Ratings @Ta=25℃
Parameter
Symbol Min Typ Max Unit
Forward voltage
Reverse current
Capacitance between terminals
VF
IR
CT
0.37 V
1 μA
2 pF
www.cj-elec.com
1
Conditions
IF=1mA
VR=10V
VR=1V, f=1MHZ
D,Oct,2015
1 page |
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PDF Descargar | [ Datasheet RB706F-40.PDF ] |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
RB706F-40 | SILICON EPITAXIAL SCHOTTKY BARRIER DIODE | SEMTECH |
RB706F-40 | Schottky Barrier Diodes | LGE |
RB706F-40 | Schottky Barrier Diode | Taiwan Semiconductor |
RB706F-40 | Schottky barrier Diode | JCET |
Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
Sanken |
SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
Analog Devices |
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