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PDF BDY13-6 Data sheet ( Hoja de datos )
| Número de pieza | BDY13-6 | |
| Descripción | Silicon NPN Power Transistor | |
| Fabricantes | Inchange Semiconductor | |
| Logotipo |  |
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INCHANGE Semiconductor
isc Silicon NPN Power Transistor
isc Product Specification
BDY13-6
DESCRIPTION
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-
: V(BR)CEO= 60V(Min.)
·Collector-Emitter Saturation Voltage-
: VCE(sat)= 1V(Max)@ IC = 3A
·High Switching Speed
APPLICATIONS
·Designed for LF signal powe amplifier applications.
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃)
SYMBOL
PARAMETER
VALUE
UNIT
VCBO
Collector-Base Voltage
80 V
VCEO Collector-Emitter Voltage
60 V
VEBO
Emitter-Base Voltage
5V
IC Collector Current-Continuous
5A
IB Base Current
0.3 A
PC
Collector Power Dissipation@TC=25℃
26
W
TJ Junction Temperature
175 ℃
Tstg Storage Temperature
-65~125 ℃
THERMAL CHARACTERISTICS
SYMBOL
PARAMETER
Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case
MAX UNIT
5 ℃/W
isc website：www.iscsemi.cn
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Hoja de datos destacado
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| BDY13-10 | NPN Silicon Planar Trnasistors |  Siemens Semiconductor Group |
| BDY13-16 | NPN Silicon Planar Trnasistors | Siemens Semiconductor Group |
| BDY13-6 | NPN Silicon Planar Trnasistors | Siemens Semiconductor Group |
| BDY13-6 | Silicon NPN Power Transistor | Inchange Semiconductor |
| Número de pieza | Descripción | Fabricantes |
| SLA6805M | High Voltage 3 phase Motor Driver IC. |
 Sanken |
| SDC1742 | 12- and 14-Bit Hybrid Synchro / Resolver-to-Digital Converters. |
 Analog Devices |
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